Zobrazeno 1 - 10
of 195
pro vyhledávání: '"graphene transistor"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 4, Iss 6, Pp n/a-n/a (2023)
Herein, a wavelength‐selective pyroelectric sensor based on a graphene field‐effect transistor (gFET) with a plasmon‐enhanced pyroelectric gate (PG) is reported. The PG gFET (PG‐gFET) uses a poly(vinylidene fluoride‐co‐trifluoroethylene)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/baac8e0ac55448578f53382764589d0a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Goeun Pyo, Gwang Jun Lee, Seungchul Lee, Jae Hoon Yang, Su Jin Heo, Gyeong Hyeon Choi, SeungNam Cha, Jae Eun Jang
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 8, Iss 4, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract The vertical thin film transistor (VTFT) has several advantages over the planar thin film transistor, such as a high current density and low operating voltage, because of the structural specificity. However, it is difficult to realize transi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e1452f95a7634bf59fd25843a919a789
Autor:
Charlène Gadroy, Rassen Boukraa, Nicolas Battaglini, Franck Le Derf, Nadine Mofaddel, Julien Vieillard, Benoît Piro
Publikováno v:
Biosensors, Vol 13, Iss 3, p 363 (2023)
In this work, an electrolyte-gated graphene field-effect transistor is developed for Gd3+ ion detection in water. The source and drain electrodes of the transistor are fabricated by photolithography on polyimide, while the graphene channel is obtaine
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0c0464afa9a4c0c8a7acf0707229f09
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nikolaos Mavredakis, Anibal Pacheco-Sanchez, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Henri Happy, David Jiménez
Publikováno v:
Microelectronics Journal
Microelectronics Journal, 2023, 133, pp.105715. ⟨10.1016/j.mejo.2023.105715⟩
Microelectronics Journal, 2023, 133, pp.105715. ⟨10.1016/j.mejo.2023.105715⟩
International audience; We propose an explicit small-signal graphene field-effect transistor (GFET) parameter extraction procedure based on a charge-based quasi-static model. The dependence of the small-signal parameters on both gate voltage and freq
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca45f266bfb2afb3607db41869e9b69f
http://arxiv.org/abs/2302.04616
http://arxiv.org/abs/2302.04616
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.