Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"gradual and abrupt switching"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 11, p 1870 (2022)
In this work, two types of InGaZnO (IGZO) memristors were fabricated to confirm the conduction mechanism and degradation characteristics of memristors with different electrode materials. The IGZO memristor exhibits abrupt switching characteristics wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4a173042a9344654b6e733a74b879f96
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.