Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"graded AlGaN/GaN"'
Publikováno v:
Medžiagotyra, Vol 19, Iss 2, Pp 129-133 (2013)
Three-dimensional electron gas/slabs (3DEG/S) can be obtained using the technique of polarization bulk doping in graded AlGaN semiconductor layer on GaN. Transport characteristics of the graded AlGaN are investigated experimentally through nanosecond
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ffba55f1875043f2bbc540586b966e0d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.