Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"gate oxide thickness"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Multidiscipline Modeling in Materials and Structures, 2011, Vol. 7, Issue 2, pp. 115-130.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/15736101111157073
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shengnan Zhu, Tianshi Liu, Junchong Fan, Hema Lata Rao Maddi, Marvin H. White, Anant K. Agarwal
Publikováno v:
Materials; Volume 15; Issue 17; Pages: 5995
650 V SiC planar MOSFETs with various JFET widths, JFET doping concentrations, and gate oxide thicknesses were fabricated by a commercial SiC foundry on two six-inch SiC epitaxial wafers. An orthogonal P+ layout was used for the 650 V SiC MOSFETs to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2698cf26d8411e6337f84b47b3f52b5b
https://doi.org/10.3390/ma15175995
https://doi.org/10.3390/ma15175995
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sharan, Neha
Compact Models are the physically based accurate mathematical description of the cir-cuit elements, which are computationally efficient enough to be incorporated in circuit simulators so that the outcome becomes useful for the circuit designers. As t
Externí odkaz:
http://etd.iisc.ernet.in/2005/3489
http://etd.iisc.ernet.in/abstracts/4356/G26589-Abs.pdf
http://etd.iisc.ernet.in/abstracts/4356/G26589-Abs.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.