Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"gate damage"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 23, p 7960 (2021)
This paper presents a detailed analysis of 1200 V Silicon Carbide (SiC) power MOSFET exhibiting different short-circuit failure mechanisms and improvement in reliability by VDS and VGS depolarization. The device robustness has undergone an incrementa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/be5e120c88554fb6a8306d4dd386746f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arto Javanainen, C. Martinella, R. Gaillard, Roger Stark, Yacine Kadi, Maria Kastriotou, Carlo Cazzaniga, Andrea Coronetti, Ruben Garcia Alia, Ulrike Grossner
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science, 68 (5)
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science
Accelerated terrestrial neutron irradiations were performed on different commercial SiC power MOSFETs with planar, trench and double-trench architectures. The results were used to calculate the failure cross-sections and the failure in time (FIT) rat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ee1e2df61ae728c8447cb3d13e32e93
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3065122
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3065122
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 7960, p 7960 (2021)
Energies; Volume 14; Issue 23; Pages: 7960
Energies
Energies, MDPI, 2021, Invited Paper-Special Issue Safety Design and Management of Power Devices including Gate-Drivers, ⟨10.3390/en14237960⟩
Energies; Volume 14; Issue 23; Pages: 7960
Energies
Energies, MDPI, 2021, Invited Paper-Special Issue Safety Design and Management of Power Devices including Gate-Drivers, ⟨10.3390/en14237960⟩
International audience; This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution.This paper presents a detailed analysis of 1200 V Silicon Carbide (SiC) power MOSFETexhibiting different sho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::096a8c098b340527fb523ceb872c63cc
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/23/7960
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/23/7960
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.