Zobrazeno 1 - 10
of 148
pro vyhledávání: '"gan tunnel junctions"'
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 105, 141104 (2014)
InGaN/GaN tunnel junction contacts were grown on top of an InGaN/GaN blue (450 nm) light emitting diode wafer using plasma assisted molecular beam epitaxy. The tunnel junction contacts enable low spreading resistance n-GaN top contact layer thereby r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1403.3932
Autor:
Cooper, D.1 (AUTHOR) david.cooper@cea.fr, Fan Arcara, V.2 (AUTHOR), Damilano, B.2 (AUTHOR), Amichi, L.3 (AUTHOR), Mavel, A.1 (AUTHOR), Rochat, N.1 (AUTHOR), Feuillet, G.1 (AUTHOR), Courville, A.2 (AUTHOR), Vézian, S.2 (AUTHOR), Duboz, J. Y.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 7/14/2021, Vol. 130 Issue 2, p1-12. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krishnamoorthy, Sriram, Kent, Thomas, Yang, Jing, Park, Pil Sung, Myers, Roberto, Rajan, Siddharth
Publikováno v:
Nano Lett., 13 (6), 2570(2013)
We show that GdN nanoislands can enhance inter-band tunneling in GaN PN junctions by several orders of magnitude, enabling low optical absorption low-resistance tunnel junctions (specific resistivity 1.3 X 10-3 {\Omega}-cm2) for various optoelectroni
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1206.3810
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yaozheng Wu, Bin Liu, Youdou Zheng, Ke Wang, Tao Tao, Dunjun Chen, Yimeng Sang, Feifan Xu, Rong Zhang, Hai Lu, Zili Xie, Xiangqian Xiu, Peng Chen
Publikováno v:
Photonics Research. 9:1683
We fabricated p-i-n tunnel junction (TJ) contacts for hole injection on c-plane green micro-light-emitting diodes (micro-LEDs) by a hybrid growth approach using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) and metal–organic chemical vapor deposi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b49f3a89026beb463f71d2c0fcfdc640
https://doi.org/10.1364/prj.424528
https://doi.org/10.1364/prj.424528
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Tetsuya Takeuchi, Yasuto Akatsuka
Publikováno v:
Applied Physics Express. 12:025502
We have systematically investigated acceptor (Mg) and donor (Si) profiles at GaN tunnel junction interfaces with the aim of a low resistivity under reverse bias. We found that an overlap between Mg and Si at the tunnel junction interface was effectiv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26bd373185af64f1aa84ae5019ef57e0
https://doi.org/10.7567/1882-0786/aafca8
https://doi.org/10.7567/1882-0786/aafca8
Autor:
Siddharth Rajan, Sriram Krishnamoorthy, Roberto C. Myers, Pil Sung Park, J. Yang, Thomas F. Kent
Publikováno v:
Nano Letters. 13:2570-2575
We show that GdN nanoislands can enhance inter-band tunneling in GaN PN junctions by several orders of magnitude, enabling low optical absorption low-resistance tunnel junctions (specific resistivity 1.3 X 10-3 {\Omega}-cm2) for various optoelectroni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f3d01d41cfcd3b9e6505e4701e7a31a6
https://doi.org/10.1021/nl4006723
https://doi.org/10.1021/nl4006723