Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"gallium telluride"'
Autor:
Faig M. Mammadov, Samira Z. Imamaliyeva, Yasin İ. Jafarov, Ikhtiyar B. Bakhtiyarly, Mahammad B. Babanly
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 24, Iss 3 (2022)
A family of compounds with the general formula АВ2Х4 (А – Mn, Fe, Co, Ni; B – Ga, In, Sb, Bi; X – S, Se, Te) and complex phases of variable compositions based on them are among promising functional materials with thermoelectric, photoelectr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d861ffca28684969b8b4b83900c6206f
Autor:
Renyan Zhang, Yuehua Wei, Yan Kang, Mingbo Pu, Xiong Li, Xiaoliang Ma, Mingfeng Xu, Xiangang Luo
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 9, Iss 9, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract Low symmetric two dimensional (2D) semiconductors are of great significance for their potential applications in polarization‐sensitive photodetection and quantum information devices. However, their real applications are limited by their ph
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a6577b95b364d89a29f956dd1731ffb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eugenio Zallo, Andrea Pianetti, Alexander S. Prikhodko, Stefano Cecchi, Yuliya S. Zaytseva, Alessandro Giuliani, Malte Kremser, Nikolai I. Borgardt, Jonathan J. Finley, Fabrizio Arciprete, Maurizia Palummo, Olivia Pulci, Raffaella Calarco
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications. 7
Van der Waals (vdW) epitaxial growth of large-area and stable two-dimensional (2D) materials of high structural quality on crystalline substrates is crucial for the development of novel device technologies. 2D gallium monochalcogenides with low in-pl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c54733bf384655bd5b58730740667407
https://doi.org/10.1038/s41699-023-00390-4
https://doi.org/10.1038/s41699-023-00390-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 9, Iss 11, p 1510 (2019)
Emerging two-dimensional gallium chalcogenides, such as gallium telluride (GaTe), are considered promising layered semiconductors that can serve as vital building blocks towards the implementation of nanodevices in the fields of nanoelectronics, opto
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4974c552f40f4ed8af701bbf77834c38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Federica Bondino, Songül Duman, Silvia Nappini, Gianluca D'Olimpio, Corneliu Ghica, Tevfik Onur Menteş, Federico Mazzola, Marian Cosmin Istrate, Matteo Jugovac, Mykhailo Vorokhta, Sergio Santoro, Bekir Gürbulak, Andrea Locatelli, Danil W. Boukhvalov, Antonio Politano
Publikováno v:
Advanced Functional Materials. 32:2205923
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d96d5cdd3905d7fa57b9ba9b49323d0f
https://doi.org/10.1002/adfm.202205923
https://doi.org/10.1002/adfm.202205923