Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"gain-cells"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 105831-105840 (2021)
Gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is a dense, low power option for embedded memory implementation, supporting low supply voltages; however, it suffers from limited data retention time (DRT) and requires periodic refresh operations, limiting its use
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fd497fd1d0b642789ad4b673dee32b88
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 27641-27649 (2019)
A gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is an attractive logic-compatible alternative to the conventional static random access memory (SRAM) for the implementation of embedded memories, as it offers higher density, lower leakage, and two-ported operatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc8b8db5928a4e7ebd12bc777db879c2
Autor:
Ahmed M. Soliman
Publikováno v:
Journal of Advanced Research, Vol 4, Iss 1, Pp 1-11 (2013)
A review of the two integrator loop oscillator circuits providing two quadrature sinusoidal output voltages is given. All the circuits considered employ the minimum number of capacitors namely two except one circuit which uses three capacitors. The c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/107d055feeff472294104bd7f2c47b33
Publikováno v:
ISCAS
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
Gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is an attractive alternative to conventional SRAM due to its high-density, low-leakage, and inherent two-ported functionality. However, its dynamic storage mechanism requires power-hungry refresh cycles to maintain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f51b222808608e4a35d7c70d0d654845
https://doi.org/10.1109/iscas45731.2020.9180997
https://doi.org/10.1109/iscas45731.2020.9180997
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 27641-27649 (2019)
A gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is an attractive logic-compatible alternative to the conventional static random access memory (SRAM) for the implementation of embedded memories, as it offers higher density, lower leakage, and two-ported operatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0387865eb9a2c2687a1fd52254098621
https://doi.org/10.1109/access.2019.2901738
https://doi.org/10.1109/access.2019.2901738
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 63:222-232
Gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is an interesting alternative to SRAM for reasons such as high density, low bitcell leakage, logic compatibility, and suitability for 2-port memories. The major drawbacks of GC-eDRAMs are their limited data retentio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1a93c6cdb9645ce16382a3930e4664af
https://doi.org/10.1109/tcsi.2015.2512706
https://doi.org/10.1109/tcsi.2015.2512706
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.