Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"fully silicided-S/D"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 959-963 (2019)
A self-limited low-temperature trimming process is demonstrated without surface morphology degradation. It shows great potential to control the trimming process with a large process window (400-900 s). Subthreshold characteristics are improved and Io
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e69c821e08c24f968fabc0c00770f385
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 959-963 (2019)
A self-limited low-temperature trimming process is demonstrated without surface morphology degradation. It shows great potential to control the trimming process with a large process window (400-900 s). Subthreshold characteristics are improved and Io
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::513285547d9925a72740ed0a6c5d8ae4
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2940606
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2940606
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.