Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"fully integrated inductor"'
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 32, Iss 1, Pp 11-22 (2023)
This paper focuses on full integration of passive devices, especially inductors with emphasis on multi-layer stacked (MLS) structures of fully integrated inductors using patterned ground shield (PGS) and fully integrated capacitor. Comparison of di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6da57255228e43f4a69b5c21fdceaba8
Autor:
Kefang Qian, Libo Qian
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 22, p 8275 (2020)
Inductor integration is of vital importance for miniaturization of power supply on chips. In this paper, a backside integrated power inductor is presented. The inductor is placed at the backside of a silicon interposer and connected to the front side
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ee7e4c4e58a7431ba059cc3220931ca3
Autor:
Libo Qian, Kefang Qian
Publikováno v:
Applied Sciences
Volume 10
Issue 22
Applied Sciences, Vol 10, Iss 8275, p 8275 (2020)
Volume 10
Issue 22
Applied Sciences, Vol 10, Iss 8275, p 8275 (2020)
Inductor integration is of vital importance for miniaturization of power supply on chips. In this paper, a backside integrated power inductor is presented. The inductor is placed at the backside of a silicon interposer and connected to the front side
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.