Zobrazeno 1 - 10
of 838
pro vyhledávání: '"frequency doubler"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 717-722 (2024)
The research on high power 190 GHz doubler based on the GaAs Schottky diodes is proposed in this paper. The frequency doubler comprises a improved diode configuration that increases the number of anodes by changing the diode arrangement to improve po
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bc2ac599bd845e09dd8cd4a3a9842ff
Autor:
Florian Vogelsang, Jonathan Bott, David Starke, Christian Bredendiek, Klaus Aufinger, Nils Pohl
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 4, Iss 3, Pp 360-371 (2024)
As the use of integrated radar sensors is becoming more common not only in traditional military and automotive but also in medical and industrial applications, the requirements for a radar sensor diversify. For some applications, bandwidth is critica
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3fb3ff34aeab493fa6fbcbec6a714e1f
Autor:
Milan Polivka, Jeff Frolik
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Antennas and Propagation, Vol 5, Iss 1, Pp 37-45 (2024)
Harmonic transponders are passive wireless devices that hold great promise for a variety of long-term tracking and sensing applications. These nonlinear devices receive an interrogation signal at one frequency $(f)$ and backscatter harmonics (typical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5be1f68100e4ee2b49e02ab75827657
Autor:
Sheng-Jen Cheng, Pi-Neng Shen, Chung-Hung Hong, Zheng-Wei Chen, Chung-Ping Chen, Sheng-Lyang Jang
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 130048-130059 (2023)
This paper designs two single-stage LC-tank injection-locked frequency sixtuplers (ILFSs) fabricated in a 90 nm CMOS process and it describes the circuit design, operation principle, and measurement results of the ILFSs. The ILFS circuit with a diffe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1fa2386b3b2f4e12af749ec169703277
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 3, Iss 1, Pp 453-465 (2023)
This paper gives an overview of published results with GaN MMICs for millimeter-wave front ends at frequencies above 60 GHz, including power and low-noise amplifiers, switches, phase shifters, frequency multipliers and oscillators. Some design method
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/74dd58a40b534ad590939152bf9afa93
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 22, Iss 2, Pp 114-121 (2022)
This work describes the development of an amplifier frequency doubler chain (AFDC) operating at around 300 GHz based on SiGe BiCMOS technology. The driver amplifier is based on the differential cascode configuration, which employs coupled-line transf
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5907e4fe772f4f7eb820111238429d3f
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 40316-40323 (2022)
High multiplication-factor even-modulus frequency multipliers are often configured as multi series frequency multipliers. This paper designs a single-stage $LC$ -tank injection locked frequency sixtupler (ILFS) fabricated in $0.18~\mu \text{m}$ CMOS
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4a600b9eac24284b471107c3437ffce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.