Zobrazeno 1 - 10
of 7 470
pro vyhledávání: '"fractal surface"'
Autor:
Xue, Pengsheng1,2 (AUTHOR) xueps@xust.edu.cn, Zhu, Lida2 (AUTHOR) neulidazhu@163.com, Cao, Xiangang1 (AUTHOR) neulidazhu@163.com
Publikováno v:
Mathematics (2227-7390). Oct2024, Vol. 12 Issue 20, p3232. 19p.
Publikováno v:
Phys. Rev. Research 6, 043054 (2024)
We study topological states of matter in quasicrystals, which do not rely on crystalline orders. In the absence of a bandstructure description and spin-orbit coupling, we show that a three-dimensional quasicrystal can nevertheless form a topological
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.11497
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Mathematics, Vol 12, Iss 20, p 3232 (2024)
The contact stiffness of the mechanical joint usually becomes the weakest part of the stiffness for the whole machinery equipment, which is one of the important parameters affecting the dynamic characteristics of the engineering machinery. Based on t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3db5daebed054f25ba02a93137d48a26
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Bismuth (Bi) atomic layers are known as 2D topological materials with variety of the electronic structures and topological orders depending on the number of stacking layers. Recently, it is reported that few layers of Bi grown on semiconductor substr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.14493