Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"forming gas annealing (FGA)"'
Autor:
Po-Jung Sung, Chun-Jung Su, Shih-Hsuan Lo, Fu-Kuo Hsueh, Darsen D. Lu, Yao-Jen Lee, Tien-Sheng Chao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 474-480 (2020)
In this study, ferroelectric FETs (FeFETs) and CMOS inverters are fabricated and analyzed, exhibiting 13% of 593 devices with sub-60 mV subthreshold swing (SS) at room temperature. Forming gas annealing (FGA) is found to not only enhance ferroelectri
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2d47eea11114ee2bde6e615d2f53b36
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 954-958 (2019)
Recently, localized thermal annealing has been spotlighted as an effective method to cure aged devices. The degraded gate oxide can be successfully cured by local annealing, which utilizes Joule heat inherently generated in the device. But, despite t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/643ad36cb0314092b4229a35dc447849
Autor:
Tien-Sheng Chao, Shih Hsuan Lo, Chun Jung Su, Po Jung Sung, Darsen D. Lu, Yao-Jen Lee, Fu-Kuo Hsueh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 474-480 (2020)
In this study, ferroelectric FETs (FeFETs) and CMOS inverters are fabricated and analyzed, exhibiting 13% of 593 devices with sub-60 mV subthreshold swing (SS) at room temperature. Forming gas annealing (FGA) is found to not only enhance ferroelectri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c12afb4e103d8abe1739a0f93fedda8f
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.2987005
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.2987005
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 954-958 (2019)
Recently, localized thermal annealing has been spotlighted as an effective method to cure aged devices. The degraded gate oxide can be successfully cured by local annealing, which utilizes Joule heat inherently generated in the device. But, despite t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::92b89c5fe547447fe8d080e0eedbaef0
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2937802
https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2937802
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.