Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"formamidinium tin triiodide"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Matteo Pitaro, Giuseppe Portale, Simon Kahmann, Wytse Talsma, Jingjin Dong, Shuyan Shao, Alexander J. Rommens, Maria Antonietta Loi
Publikováno v:
Advanced Functional Materials, 31(11):2008478. WILEY-V C H VERLAG GMBH
To date, there are no reports of 3D tin perovskite being used as a semiconducting channel in field-effect transistors (FETs). This is probably due to the large amount of trap states and high p-doping typical of this material. Here, the first top-gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e491e1275338094c4a286f63be160b5f
https://doi.org/10.1002/adfm.202008478
https://doi.org/10.1002/adfm.202008478
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.