Zobrazeno 1 - 10
of 225
pro vyhledávání: '"fluoropyridinium salt"'
Autor:
Tsukamoto, Kentaro, Uchikoshi, Junichi, Otani, Masaki, Hirano, Toshinori, Ie, Yutaka, Nagai, Takabumi, Adachi, Kenji, Kawai, Kentaro, Arima, Kenta, Morita, Mizuho
Publikováno v:
In Current Applied Physics December 2012 12 Supplement 3:S29-S32
Autor:
Kosuke Kawada
Publikováno v:
Fluorination ISBN: 9789811018558
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6457962f9ba1cf707b9e1a664e3d52bb
https://doi.org/10.1007/978-981-10-1855-8_21-2
https://doi.org/10.1007/978-981-10-1855-8_21-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kosuke Kawada
Publikováno v:
Fluorination ISBN: 9789811018558
Fluorination
Fluorination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::67da52820c5eb973e890eb4094459ef4
https://doi.org/10.1007/978-981-10-1855-8_40-1
https://doi.org/10.1007/978-981-10-1855-8_40-1
Autor:
Umemoto, Teruo, Tomizawa, Ginjiro
Publikováno v:
Journal of Organic Chemistry; 10/6/95, Vol. 60 Issue 20, p6563, 8p, 17 Diagrams, 5 Charts
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kenji Adachi, Toshinori Hirano, Yutaka Ie, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima, Masaki Otani, Kentaro Tsukamoto, Kentaro Kawai, Mizuho Morita, Takabumi Nagai
Publikováno v:
Current Applied Physics. 12:S29-S32
The etching mechanism of Si by N-fluoropyridinium salt has been discussed. The etching rate increases with light intensity or temperature. Si is etched by the irradiation of light with an energy higher than the band gap of Si. The etching rate is alm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1caf40efb97d0fb585e6205f02a77032
https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.05.005
https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.05.005
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kentaro Tsukamoto, Tatsuya Kawase, Shigeharu Goto, Noritaka Ajari, Takabumi Nagai, Mizuho Morita, Junichi Uchikoshi, Kenji Adachi
Publikováno v:
ECS Transactions. 25:195-200
Silicon is etched by applying N-fluoropyridinium salts to its surface and exposing the surface to light. Etching depth increases with exposure time. The H-terminated hydrophobic Si is easier to be etched than the OH-terminated hydrophilic Si. SiF4 is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c89f5bfbb1c138d8a24855a513b909d
https://doi.org/10.1149/1.3202653
https://doi.org/10.1149/1.3202653