Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"flat h-si(111) surfaces"'
Autor:
Allongue, Philippe *, Henry de Villeneuve, Catherine, Morin, Sylvie, Boukherroub, Rabah, Wayner, Danial D.M.
Publikováno v:
In Electrochimica Acta 2000 45(28):4591-4598
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Danial D. M. Wayner, Sylvie Morin, Catherine Henry de Villeneuve, Rabah Boukherroub, Philippe Allongue
Publikováno v:
Electrochimica Acta
Electrochimica Acta, 2000, 45 (28), pp.4591-4598. ⟨10.1016/S0013-4686(00)00610-1⟩
Electrochimica Acta, 2000, 45 (28), pp.4591-4598. ⟨10.1016/S0013-4686(00)00610-1⟩
The reasons why ideally flat H–Si(111) surface can be prepared by NH 4 F etching are investigated from correlation between AFM observations and experimental conditions used for etching. It is shown that pitting may be completely suppressed if a one
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c21f1cf3293c140422d9d83c50671b48
https://hal.science/hal-04166347
https://hal.science/hal-04166347
Publikováno v:
Electrochimica Acta; 2000, Vol. 45 Issue: 28 p4591-4598, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ayelet Vilan, Omer Yaffe, Han Zuilhof, David Cahen, Hagai Cohen, Antoine Kahn, Sidharam P. Pujari, Leeor Kronik, Ofer Sinai
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces 117 (2013) 43
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces, 117(43), 22422-22427
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces, 117(43), 22422-22427
The interface level alignment of alkyl and alkenyl monolayers, covalently bound to oxide-free Si substrates of various doping levels, is studied using X-ray photoelectron spectroscopy. Using shifts in the C 1s and Si 2p photoelectron peaks as a sensi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a4389466b1f565320e1bd7be8bae9949
https://research.wur.nl/en/publications/effect-of-doping-density-on-the-charge-rearrangement-and-interfac
https://research.wur.nl/en/publications/effect-of-doping-density-on-the-charge-rearrangement-and-interfac
Autor:
Ayelet Vilan, Marcel Giesbers, Luc Scheres, Izhar Ron, Eric Salomon, Omer Yaffe, Leeor Kronik, Han Zuilhof, David Cahen, Lior Segev, Ariel Biller, Antoine Kahn
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces 114 (2010) 22
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces, 114(22), 10270-10279
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces, 114(22), 10270-10279
Metal-organic molecule-semiconductor junctions are controlled not only by the molecular properties, as in metal-organic molecule-metal junctions, but also by effects of the molecular dipole, the dipolar molecule-semiconductor link, and molecule-semic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::525e24a3da832b69ecc317a27c870ab7
https://research.wur.nl/en/publications/hgmolecular-monolayer-si-junctions-electrical-interplay-between-m
https://research.wur.nl/en/publications/hgmolecular-monolayer-si-junctions-electrical-interplay-between-m
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 2017, Vol. 146 Issue 5, p1-7, 7p, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs