Zobrazeno 1 - 10
of 168
pro vyhledávání: '"flash-memory channel"'
Autor:
Li, Yingge1 (AUTHOR) 1112003005@mail2.gdut.edu.cn, Hu, Haihua1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Entropy. Sep2024, Vol. 26 Issue 9, p781. 16p.
Publikováno v:
Entropy, Vol 26, Iss 9, p 781 (2024)
As high-speed big-data communications impose new requirements on storage latency, low-density parity-check (LDPC) codes have become a widely used technology in flash-memory channels. However, the iterative LDPC decoding algorithm faces a high decodin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fcc31da0f93f4f6b8818a14a6e695ecc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ISIT
In this paper, we consider a discrete channel with inter-cell interference (ICI) as a model for NAND flash memory. We derive an explicit formula for the mutual information rate when the input is Markovian. Using this formula, we obtain the asymptotic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::672c72fca6f6eb57936c26f1e7efff4b
https://doi.org/10.1109/isit.2019.8849822
https://doi.org/10.1109/isit.2019.8849822
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dong-Hyuk Park, Jaejin Lee
Publikováno v:
The Journal of Korea Information and Communications Society. 37:706-711
Multi-level cell NAND flash is a flash memory technology using multiple levels per cell to allow more bits to be stored. Currently, most multi-level cell NAND stores 2 bits of information per cell. This reduces the amount of margin separating the sta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d49573efd5fb8e7375a5020a075796fa
https://doi.org/10.7840/kics.2012.37a.8.706
https://doi.org/10.7840/kics.2012.37a.8.706
Autor:
Wan Sup Shin, Sung Soon Kim, Seung Jin Yeom, Takeshi Ueda, Byung-Seok Lee, Min Sung Ko, Dong Sun Sheen, Sung Ki Park, Toshikazu Ishigaki, Woo Sik Yoo, Noh Yeal Kwak, Kitaek Kang
Publikováno v:
2014 14th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS).
Raman spectroscopy was used for characterizing poly-Si after thermal annealing of chemical vapor deposited (CVD) thin a-Si films in the vertical channel region of 3D V-NAND device wafers using various annealing conditions and techniques. Raman spectr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::14488fed0a7a2eac84488706bb950221
https://doi.org/10.1109/nvmts.2014.7060843
https://doi.org/10.1109/nvmts.2014.7060843
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Embedded Systems Letters; Jun2024, Vol. 16 Issue 2, p146-149, 4p