Zobrazeno 1 - 10
of 41 268
pro vyhledávání: '"finFET"'
Autor:
Huijbregts, Lucas, Hsiao-Hsuan, Liu, Detterer, Paul, Hamdioui, Said, Yousefzadeh, Amirreza, Bishnoi, Rajendra
Current Artificial Intelligence (AI) computation systems face challenges, primarily from the memory-wall issue, limiting overall system-level performance, especially for Edge devices with constrained battery budgets, such as smartphones, wearables, a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.09130
Autor:
Muqeet, Mohammed Abdul1 abdulmqt19@gmail.com, Babu, Tummala Ranga2
Publikováno v:
International Journal of Nanoelectronics & Materials. Jul2024, Vol. 17 Issue 3, p355-361. 7p.
Autor:
Park, Seohyeon, Yoo, Jaewook, Song, Hyeojun, Lee, Hongseung, Lim, Seongbin, Kim, Soyeon, Park, Minah, Kim, Bongjoong, Heo, Keun, Ye, Peide D., Bae, Hagyoul
We have experimentally demonstrated the effectiveness of beta-gallium oxide (beta-Ga2O3) ferroelectric fin field-effect transistors (Fe-FinFETs) for the first time. Atomic layer deposited (ALD) hafnium zirconium oxide (HZO) is used as the ferroelectr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.18187
Publikováno v:
Elektronika ir Elektrotechnika, Vol 30, Iss 5, Pp 38-44 (2024)
This paper presents high-frequency universal filter applications based on a voltage differential buffered amplifier (VDBA) using 32 nm fin field effect transistor (FinFET) technology. FinFET technology is a promising alternative to complementary meta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a6e641db2e6d4dadac9580a912ec15fa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.