Zobrazeno 1 - 10
of 138
pro vyhledávání: '"field-free switching"'
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract While spin–orbit torque (SOT) devices are extensively investigated due to their potential for use in neural network computation, it remains challenging to explore the hardware for neural networks. In this paper, the field‐free memristive
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f60cd0c177b4c7cafe863cf84ac8c92
Publikováno v:
In Journal of Magnetism and Magnetic Materials 15 February 2025 614
Autor:
He Bai, Jialiang Li, Jintao Ke, Qixun Guo, Zhaozhao Zhu, Yaqin Guo, Xiao Deng, Dan Liu, Jianwang Cai, Tao Zhu
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 6, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The energy‐efficient spin‐orbit torque (SOT) based devices are essential for future memory and logic technologies. To realize a deterministic switching, an external in‐plane magnetic field is usually needed to break the symmetry, which
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cb1ebada7f2049fabf1b667b52796e3d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 11, p 113001 (2024)
Current-induced spin-orbit torque (SOT) provides efficient magnetization control in spintronic devices. However, applications of SOT are limited, as deterministic switching of perpendicular magnetization typically requires an external magnetic field.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d6422017dbf344cc8f331f7601bc3d71
Autor:
Yuhang Song, Zhiming Dai, Long Liu, Jinxiang Wu, Tingting Li, Xiaotian Zhao, Wei Liu, Zhidong Zhang
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 1, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Field‐free switching is a critical issue for spin‐orbit torque‐induced magnetic random‐access memory (SOT‐MRAM) with perpendicular magnetic anisotropic (PMA) towards application. If only the spin‐polarized electrons along the y
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2419dfd1f4824e14a1d95b8a9d1c89ee
Autor:
Gaeun Choi, Jeongchun Ryu, Sungjun Lee, Jaimin Kang, Namgyu Noh, Jong Min Yuk, Byong‐Guk Park
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 9, Iss 36, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract Interface‐generated spin currents in ferromagnet (FM)/nonmagnet (NM) structures provide both in‐plane and out‐of‐plane spin–orbit torques (SOTs), enabling the field‐free switching of perpendicular magnetization of the other FM la
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0842a1174d4148e0875caea3d0795a2f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 61-67 (2021)
We propose a magnetic field-free spin-orbit torque switching scheme based on two orthogonal current pulses, for which deterministic switching is demonstrated via numerical simulations. The first current pulse selects the cell, while the second curren
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cd397d00adf342548ec6c49d84add689