Zobrazeno 1 - 10
of 1 334
pro vyhledávání: '"field of mobility"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Enhanced field-effect mobility (>250 cm2/V·s) in GaN MOSFETs with deposited gate oxides via mist CVD
Autor:
Kazuki Ikeyama, Hidemoto Tomita, Sayaka Harada, Takashi Okawa, Li Liu, Toshiyuki Kawaharamura, Hiroki Miyake, Yoshitaka Nagasato
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 6, p 064002 (2024)
We report an enhanced field-effect mobility (>250 cm ^2 ·V ^−1 ·s ^−1 ) in GaN MOSFETs. High mobility was achieved by reducing the oxidation of the GaN surface, which was a major factor affecting channel mobility in GaN MOSFETs. Among various g
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8509dbf9551b4d6ba0bace0eb5d5d424
Publikováno v:
Bibechana, Vol 20, Iss 1 (2023)
The fabrication of electric double layer thin film transistors (EDLTFTs) using polymeric electrolyte as gate dielectric on chemically grown polycrystalline ZnO thin film channel has the lower threshold voltage at 0.4 V and the saturation current at 3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1ecb1783ae7a4ec5b83d7703a725fe29
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 2, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The measurement of mobility and threshold voltage in thin‐film transistors (TFTs) in which the mobility is a function of gate voltage or carrier density is usually done inaccurately. Herein, accurate mobility calculations within the framew
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef04064838e74ddd9f459a1d9ae8a9d5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Molecules, Vol 28, Iss 7, p 2940 (2023)
This systematic study aimed at finding a correlation between molecular structure, solubility, self-assembly, and electronic properties of a homological series of N-alkylated naphthalene diimides (NDIs). NDIs are known for their n-type carrier mobilit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a1432e25fea24e818946489ef44c5488