Zobrazeno 1 - 10
of 458
pro vyhledávání: '"ferroelectric RAM (FeRAM)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Katsuya Okumura, Keitaro Imai, Tatsushi Owada, Koji Yamakawa, Osamu Arisumi, Tsunetoshi Arikado, Masaki Yoshioka
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 41:2630-2634
A novel method of ferroelectric capacitor formation for Ferroelectrie random access memory (FeRAM) embedded LSIs and one-transistor-type FeRAMs has been developed. Amorphous Pb(Ti, Zr)O3(PZT) films were successfully transformed to the perovskite phas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73a55d3e4c0d18923fe89f0f868faf6b
https://doi.org/10.1143/jjap.41.2630
https://doi.org/10.1143/jjap.41.2630
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 11, Iss 4, p 36 (2021)
Several promising non-volatile memories (NVMs) such as magnetic RAM (MRAM), spin-transfer torque RAM (STTRAM), ferroelectric RAM (FeRAM), resistive RAM (RRAM), and phase-change memory (PCM) are being investigated to keep the static leakage within a t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d8f765adaf9640ecac31280ff58cf1b5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; August 2024, Vol. 71 Issue: 8 p4604-4612, 9p
Autor:
Zhang, Yalong1 (AUTHOR), Zhu, Qiuxiang1 (AUTHOR) qxzhu@clpm.ecnu.edu.cn, Tian, Bobo1 (AUTHOR) bbtian@ee.ecnu.edu.cn, Duan, Chungang1,2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Nano-Micro Letters. 6/25/2024, Vol. 16 Issue 1, p1-31. 31p.
Autor:
Kato, Sho1, Watanabe, Shigeyoshi1
Publikováno v:
Electronics & Communications in Japan. Feb2015, Vol. 98 Issue 2, p32-42. 11p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhou, Houji1, Chen, Jia2, Li, Jiancong1 jjiachen@ust.hk, Yang, Ling1, Li, Yi1,3 liyi@hust.edu.cn, Miao, Xiangshui1,3
Publikováno v:
APL Machine Learning. Dec2023, Vol. 1 Issue 4, p1-13. 13p.
Autor:
Pradhan, Dhiren K., Moore, David C., Francis, A. Matt, Kupernik, Jacob, Kennedy, W. Joshua, Glavin, Nicholas R., Olsson III, Roy H., Jariwala, Deep
Publikováno v:
Nature Reviews Materials; Nov2024, Vol. 9 Issue 11, p790-807, 18p