Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"fdsoi mosfets"'
Autor:
Kevkić Tijana S., Nikolić Vojkan R., Stojanović Vladica S., Milosavljević Dragana D., Jovanović Slavica J.
Publikováno v:
Open Physics, Vol 20, Iss 1, Pp 106-116 (2022)
Modeling of the electrostatic potential for fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is presented in this article. The modeling is based on the analytical solution of two-dimensional Po
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/204f7d0396df4d2c9cb4639174124cf7
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 10, p 5167 (2022)
This paper proposes a compact, physics-based current model for fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) MOSFETs and applies it to delay variability analysis. An analytical method is applied to avoid the numerical iterations required in the evaluat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/836233bd87bf41f9b16d2a742c43c58f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Christoforos G. Theodorou, Charalabos A. Dimitriadis, Gerard Ghibaudo, T.A. Karatsori, Sebastien Haendler, E. G. Ioannidis
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (5), pp.1574-1579. ⟨10.1109/TED.2015.2411678⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 62 (5), pp.1574-1579. ⟨10.1109/TED.2015.2411678⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (5), pp.1574-1579. ⟨10.1109/TED.2015.2411678⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 62 (5), pp.1574-1579. ⟨10.1109/TED.2015.2411678⟩
Extensive investigation of the drain-current low-frequency noise in n-channel MOSFETs issued from a 14-nm fully depleted silicon-on-insulator technology node has been carried out. The results demonstrate that the carrier number fluctuation (CNF) with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::237305610878925e616140c4e90b54ec
https://hal.science/hal-01947638
https://hal.science/hal-01947638
Autor:
Francois Andrieu, Olivier Faynot, Christoforos G. Theodorou, Charalabos A. Dimitriadis, Thierry Poiroux, E. G. Ioannidis, Gerard Ghibaudo
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014, 61 (4), pp.1161-1167. ⟨10.1109/TED.2014.2307201⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (4), pp.1161-1167. ⟨10.1109/TED.2014.2307201⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014, 61 (4), pp.1161-1167. ⟨10.1109/TED.2014.2307201⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (4), pp.1161-1167. ⟨10.1109/TED.2014.2307201⟩
International audience; The low-frequency noise (LFN) sources in ultrathin body (8.7 nm) and buried oxide (10 nm) fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI) n- and p-channel MOSFETs are analyzed. Both flicker and Lorentzian-type noise were obs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5e8c82e40b8f9763f1fb74b71fbdeeb8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01947606
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01947606
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.