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pro vyhledávání: '"fautes d'empilement"'
Autor:
Collet, Jean-Louis
Les mécanismes de déformation des aciers TWIP austénitiques Fe22Mn0.6C ont été étudiés par une analyse quantitative des profils des pics de diffraction aux rayons X. Les densités de dislocations et les probabilités de fautes d'empilement ont
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http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00376431
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/64/31/PDF/theseCollet.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/64/31/PDF/theseCollet.pdf
Autor:
Collet, Jean-Louis
Publikováno v:
Matériaux. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2009. Français
The deformation mechanisms of austenitic Fe22Mn0.6C TWIP steels have been investigated using a quantitative X-ray diffraction peak profile analysis. The dislocation densities and the stacking fault probabilities have been determined using the Wilkens
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d51a4b5a64a3c4bcabcfe4938daa7e36
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00376431
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00376431
Autor:
Boulineau, Adrien
Afin de mieux comprendre les évolutions structurales mises en évidence dans les oxydes lamellaires de formule générale Li1+x(Ni0.425Mn0.425Co0.15)O2 utilisés comme électrode positive pour batterie lithium-ion, la structure du composé Li2MnO3 a
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http://www.theses.fr/2008BOR13747/document
Autor:
Jacques Paquet, Alain Lefebvre
Publikováno v:
Périodiques Scientifiques en Édition Électronique.
c dissociated dislocations with variable dissociation widths (from 300 Å to a few microns) are systematically found in sillimanite studied by transmission electron microscopy. The corresponding stacking faults (with displacement vector 1/2 [001]) on
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::142194cac0271af0c5c91d208f34ce99
https://www.persee.fr/doc/bulmi_0180-9210_1983_num_106_3_7707
https://www.persee.fr/doc/bulmi_0180-9210_1983_num_106_3_7707
Autor:
Arroyo Rojas Dasilva, Yadira
Gallium nitride (GaN) is one of the most interesting materials for devices applications such as blue light emitting diodes, laser diodes and high power and high temperature electronic applications, because of its large band gap (3.39 eV). Several gro
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b3cf39f9fa81f97ea647899da44c4818
https://infoscience.epfl.ch/record/125967
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