Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"failure in time"'
Autor:
Fabio Principato, Carlo Cazzaniga, Maria Kastriotou, Christopher Frost, Leonardo Abbene, Francesco Pintacuda
Publikováno v:
Radiation, Vol 3, Iss 2, Pp 110-122 (2023)
Accelerated neutron tests on silicon (Si) and silicon carbide (SiC) power MOSFETs at different temperatures and drain bias voltages were performed at the ChipIr facility (Didcot, UK). A super-junction silicon MOSFET and planar SiC MOSFETs with differ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/63b6dee792214521851ac8c280f87dd7
Autor:
Sulewski, Piotr, Szymkowiak, Magdalena
Publikováno v:
Statistics in Transition. New Series. 23(4):59-76
Externí odkaz:
https://www.ceeol.com/search/article-detail?id=1096939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Van Hung Pham, Huong Thien Pham, Mario G. Balzanelli, Pietro Distratis, Rita Lazzaro, Quoc Viet Nguyen, Viet Quoc Tran, Duy Khanh Tran, Luan Duy Phan, Sang Minh Pham, Binh Thai Pham, Chien Vo Duc, Ha Minh Nguyen, Dung Ngoc Thi Nguyen, Ngoc Van Tran, Son Truong Pham, Camelia Queck, Kieu Diem Cao Nguyen, Francesco Inchingolo, Raffaele Del Prete, Nam Hai Dinh Nguyen, Luigi Santacroce, Ciro Gargiulo Isacco
Publikováno v:
Diagnostics, Vol 13, Iss 8, p 1364 (2023)
Shortly after its emergence, Omicron and its sub-variants have quickly replaced the Delta variant during the current COVID-19 outbreaks in Vietnam and around the world. To enable the rapid and timely detection of existing and future variants for epid
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7eafb5ea1e6e450d98fbd10ec1e904f6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fabio Principato, Giuseppe Allegra, Corrado Cappello, Olivier Crepel, Nicola Nicosia, Salvatore D′Arrigo, Vincenzo Cantarella, Alessandro Di Mauro, Leonardo Abbene, Marcello Mirabello, Francesco Pintacuda
Publikováno v:
Sensors, Vol 21, Iss 16, p 5627 (2021)
High temperature reverse-bias (HTRB), High temperature gate-bias (HTGB) tests and electrical DC characterization were performed on planar-SiC power MOSFETs which survived to accelerated neutron irradiation tests carried out at ChipIr-ISIS (Didcot, UK
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d75b44dcd93c44b88ed42af48a3d7339
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The study examines the causes and its impact of building collapse in two folds: The use of secondary data and also the use of observation based visual inspection survey (inspection based technique) conducted on the affected building structure. The fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b4a909953086c2275347375751a5487
