Zobrazeno 1 - 10
of 1 793
pro vyhledávání: '"euv lithography"'
Publikováno v:
Opto-Electronic Advances, Vol 7, Iss 4, Pp 1-11 (2024)
Extreme ultraviolet (EUV) lithography with high numerical aperture (NA) is a future technology to manufacture the integrated circuit in sub-nanometer dimension. Meanwhile, source mask co-optimization (SMO) is an extensively used approach for advanced
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2feb540431a94d1194b5de2f44e7a687
Publikováno v:
Mathematics, Vol 12, Iss 20, p 3179 (2024)
The extreme ultraviolet (EUV) photolithography process is a cornerstone of semiconductor manufacturing and operates under demanding precision standards realized via nanometer-level overlay (OVL) error modeling. This procedure allows the machine to an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1060c0f597184662adc16ed080649ea5
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 9, p 1122 (2024)
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is a leading technology in semiconductor manufacturing, enabling the creation of high-resolution patterns essential for advanced microelectronics. This review highlights recent progress in inorganic metal-oxide-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d9f21d720baf45bc8a8916d2e18405c0
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 14, Iss 11, p 4440 (2024)
Controlling overlay in lithography is crucial for improving the yield of integrated circuit manufacturing. The process disturbances can cause undesirable morphology changes of overlay targets (such as asymmetric grating), which can significantly impa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/42c99ad81ee74cb8ad723169fea116ff
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 20, Iss , Pp 100223- (2023)
The optical properties and geometry of EUV mask absorbers play an essential role in determining the imaging performance of a mask in EUV lithography. Imaging metrics, including Normalized Image Log Slope (NILS), Telecentricity Error (TCE), and Best F
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/827168aa6f594ffc8b1fd1eea1b0fc20
Autor:
X. J. Deng, Y. Zhang, Z. L. Pan, Z. Z. Li, J. H. Bian, C.-Y. Tsai, R. K. Li, A. W. Chao, W. H. Huang, C. X. Tang
Publikováno v:
Journal of Synchrotron Radiation, Vol 30, Iss 1, Pp 35-50 (2023)
A promising accelerator light source mechanism called steady-state microbunching (SSMB) is being actively studied. With the combination of strong coherent radiation from microbunching and high repetition rate of a storage ring, high-average-power nar
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/50cff0423ac64bb1bb6ee3ea77bcd027
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.