Zobrazeno 1 - 10 of 45 pro vyhledávání: '"etch-depth monitoring"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Dissertation/ Thesis
In situ laser etch-depth monitoring of the deep reactive ion etching process
Autor: Imura, Yuki.
Thesis (M.S.) -- New Jersey Institute of Technology, Committee for the Interdisciplinary Program in Materials Science and Engineering, 2003.
Includes bibliographical references. Also available via the World Wide Web.
Externí odkaz: http://library1.njit.edu/etd/fromwebvoyage.cfm?id=njit-etd2003-005
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Doped or Quantum-Dot Layers as In Situ Etch-Stop Indicators for III/V Semiconductor Reactive Ion Etching (RIE) Using Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS)
Autor: Guilherme Sombrio, Emerson Oliveira, Johannes Strassner, Johannes Richter, Christoph Doering, Henning Fouckhardt
Publikováno v: Micromachines, Vol 12, Iss 5, p 502 (2021)
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), which was originally invented to monitor epitaxial growth, can—as we have previously shown—also be used to monitor the reactive ion etching of III/V semiconductor samples in situ and in real time, as lon
Externí odkaz: https://doaj.org/article/384a1b5e0ce349f58bc05d173e6e0965
Zobrazit plný text záznamu
4
Doped or Quantum-Dot Layers as In Situ Etch-Stop Indicators for III/V Semiconductor Reactive Ion Etching (RIE) Using Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS)
Autor: Emerson Oliveira, Henning Fouckhardt, Christoph Doering, Johannes Strassner, Johannes M. Richter, Guilherme Sombrio
Publikováno v: Micromachines
Volume 12
Issue 5
Micromachines, Vol 12, Iss 502, p 502 (2021)
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), which was originally invented to monitor epitaxial growth, can—as we have previously shown—also be used to monitor the reactive ion etching of III/V semiconductor samples in situ and in real time, as lon
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0e9e881f6b506aa82e2b49e2e006552e
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Interferometric in-situ III/V semiconductor dry-etch depth-control with ±0.8 nm best accuracy using a quadruple-Vernier-scale measurement.
Autor: Sombrio, Guilherme, Oliveira, Emerson, Strassner, Johannes, Doering, Christoph, Fouckhardt, Henning
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Sep2021, Vol. 39 Issue 5, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Reflectance modeling for in situ dry etch monitoring of bulk SiO2 and III-V multilayer structures.
Autor: Hicks, S. E., Parkes, W., Wilkinson, J. A. H., Wilkinson, C. D. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 6, p3306-3310, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje