Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"epitaxial wafer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
EPJ Photovoltaics. 14:4
Epitaxially-grown wafers on top of sintered porous silicon are a material-efficient wafer production process, that is now being launched into mass production. This production process makes the material-expensive sawing procedure obsolete since the wa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6c0c4947e259dd4ac338580753986dd3
https://doi.org/10.1051/epjpv/2022035
https://doi.org/10.1051/epjpv/2022035
Publikováno v:
電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2017:7-11
We discussed applying the microwave photoconductivity decay (µ-PCD) to measure carrier lifetime of silicon epitaxial wafer. This paper clarified the range of evaluable substrate concentration and thickness by construction of conditional expression a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::049476b73cfefce70cd9b6c355fe3058
https://kyutech.repo.nii.ac.jp/records/5284
https://kyutech.repo.nii.ac.jp/records/5284
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energy Procedia. 27:38-44
Crystalline silicon thin film solar cells, based on the epitaxial wafer equivalent, require a reflecting interlayer between substrate and active layers to increase the generated current and reach similar efficiencies as wafer based solar cells. With
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50a1c2e4a515e8e50a0374fc96a05bb4
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2012.07.026
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2012.07.026
Autor:
Ogita, Yo-ichiro, Yamaguchi, Masakazu
Publikováno v:
神奈川工科大学研究報告.B,理工学編. 27:13-18
application/pdf
Non-contacting evaluation method using contact potential difference is developed for evaluating subsurface property of silicon wafers. Measured contact differences for n-and ptype silicon crystals were well corresponding to that
Non-contacting evaluation method using contact potential difference is developed for evaluating subsurface property of silicon wafers. Measured contact differences for n-and ptype silicon crystals were well corresponding to that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::dac5cf196b8387df4b6f483c9a2dbc79
https://kait.repo.nii.ac.jp/records/946
https://kait.repo.nii.ac.jp/records/946
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.