Zobrazeno 1 - 10
of 1 574
pro vyhledávání: '"enhancement mode (e-mode)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yue Hao, Jinyan Wang, Yong Cai, Chunyan Jin, Wengang Wu, Xie Bing, Jincheng Zhang, Zhenchuan Yang, Jingqian Liu, Zhe Xu, Maojun Wang, Xiaohua Ma, Min Yu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 35:1200-1202
Postgate annealing (PGA) in N2/O2 atmosphere at 300 °C for various annealing time is performed on enhancement mode AlGaN/GaN MOSFET fabricated using a self-terminating gate recess etching technique. After 45-min annealing, the device OFF-state leaka
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::203a9e1e259e3457727a6f0bc22be869
https://doi.org/10.1109/led.2014.2360541
https://doi.org/10.1109/led.2014.2360541
Autor:
Yong Cai, Wengang Wu, Bing Xie, Zhen Yang, Jinyan Wang, Maojun Wang, Jingqian Liu, Jincheng Zhang, Min Yu, Xiaoping Li, Zhe Xu, Yue Hao, Xiaohua Ma
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 35:33-35
High temperature characteristics of GaN-based inverter is presented from room temperature (RT) to 300 °C, which is integrated with enhancement-mode MOSFET and depletion-mode HEMT. At 300 °C, the fabricated inverter operates properly at a supply vol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70c7ddf3966401df381a4e84abad7521
https://doi.org/10.1109/led.2013.2291854
https://doi.org/10.1109/led.2013.2291854
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yoon, Youngbin1 (AUTHOR) ybyoon93@gmail.com, Kim, Yongki1 (AUTHOR), Shin, Myunghun1 (AUTHOR) mhshin@kau.ac.kr
Publikováno v:
Sensors (14248220). Sep2024, Vol. 24 Issue 17, p5822. 15p.
Publikováno v:
16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2004..
In this paper, a novel gate technology with triple shaped gate structure has been proposed and developed in order to minimize unwanted gate fringing capacitance. Because high gate stem height was difficult to fabricate by means of conventional direct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa75336268d359725af72808a0713f2c
https://doi.org/10.1109/iciprm.2004.1442733
https://doi.org/10.1109/iciprm.2004.1442733
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.