Zobrazeno 1 - 10
of 17 465
pro vyhledávání: '"energy-level alignment"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krajňák, Tomáš, Stará, Veronika, Procházka, Pavel, Planer, Jakub, Skála, Tomáš, Blatnik, Matthias, Čechal, Jan
The interface between a metal electrode and an organic semiconductor (OS) layer has a defining role in the properties of the resulting device. To obtain a desired performance, interlayers are introduced to modify the adhesion and growth of OS and enh
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.08233
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Donald Valenta, Hasan Arif Yetkin, Tim Kodalle, Jakob Bombsch, Raul Garcia‐Diez, Claudia Hartmann, Shigenori Ueda, Roberto Félix, Johannes Frisch, Lucas Bodenstein‐Dresler, Regan G. Wilks, Christian A. Kaufmann, Marcus Bär
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 13, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Sputter‐deposited GaOx (i.e., oxygen‐deficient gallium oxide) films are evaluated as a potential replacement for the standard CdS buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) based thin‐film photovoltaics. The energy level alignment at the Ga
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e86b7412d85a4050acde412c67d4516c
