Zobrazeno 1 - 10
of 1 004
pro vyhledávání: '"electrothermal simulations"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kamrani, Hamed, Yu, Feng, Frank, Kristian, Strempel, Klaas, Fatahilah, Muhammad Fahlesa, Wasisto, Hutomo Suryo, Römer, Friedhard, Waag, Andreas, Witzigmann, Bernd
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2018 91 Part 2:227-231
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ciro Scognamillo, Antonio Pio Catalano, Michele Riccio, Vincenzo d’Alessandro, Lorenzo Codecasa, Alessandro Borghese, Ravi Nath Tripathi, Alberto Castellazzi, Giovanni Breglio, Andrea Irace
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 15, p 4683 (2021)
In this paper, an advanced electrothermal simulation strategy is applied to a 3.3 kV silicon carbide MOSFET power module. The approach is based on a full circuital representation of the module, where use is made of the thermal equivalent of the Ohm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/75d1d4390cbb40b89812ff8c14fd08b9
Autor:
Michele Riccio, Ciro Scognamillo, Lorenzo Codecasa, Giovanni Breglio, Alberto Castellazzi, Vincenzo d'Alessandro, A. Borghese, Andrea Irace, Antonio Pio Catalano, Ravi Nath Tripathi
Publikováno v:
Energies; Volume 14; Issue 15; Pages: 4683
Energies, Vol 14, Iss 4683, p 4683 (2021)
Energies, Vol 14, Iss 4683, p 4683 (2021)
In this paper, an advanced electrothermal simulation strategy is applied to a 3.3 kV silicon carbide MOSFET power module. The approach is based on a full circuital representation of the module, where use is made of the thermal equivalent of the Ohm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::93df84ac42bdf41e0a043206b800e810
http://hdl.handle.net/11311/1204042
http://hdl.handle.net/11311/1204042
Autor:
Price, A.1, Martinez, A.1
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 2017, Vol. 122 Issue 7, p1-8. 8p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liero, Matthias1 matthias.liero@wias-berlin.de, Fuhrmann, Jürgen1, Glitzky, Annegret1, Koprucki, Thomas1, Fischer, Axel2, Reineke, Sebastian2
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Oct2017, Vol. 49 Issue 10, p1-8. 8p.