Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"electron states in random potential"'
Publikováno v:
Entropy, Vol 26, Iss 5, p 356 (2024)
The space- and temperature-dependent electron distribution n(r,T) determines optoelectronic properties of disordered semiconductors. It is a challenging task to get access to n(r,T) in random potentials, while avoiding the time-consuming numerical so
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cb51a1eb2cc4648ac9c07b7f82c6a13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.