Zobrazeno 1 - 10
of 267
pro vyhledávání: '"electrochemical mechanical polishing (ecmp)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Micron August 2010 41(6):615-621
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Jin'gangshi yu moliao moju gongcheng, Vol 42, Iss 4, Pp 504-510 (2022)
To solve the problem of low polishing efficiency of silicon carbide crystal, electrochemical mechanical polishing (ECMP) of silicon carbide was carried out to study the effect of NaOH, NaNO3 and H3PO4 electrolytes on electrochemical oxidation of sili
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e903d5f0f724e9ea8e3eadcc67a5b92
Autor:
F. Gao, Hong Liang
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 40:134-140
A new methodology has been developed to investigate the oxidation state and processing of tantalum (Ta) during an electrochemical mechanical polishing (ECMP) process. Polishing experiments under different mechanical forces were conducted at constant
Publikováno v:
Advanced Materials Research. :1846-1850
The mechanism of the elctrochemical mechanical polishing (ECMP) technology for micro tool electrode was investigated. In this paper, suitable major process parameters on the surface quality were evaluated, the major parameters contains electrical par
Publikováno v:
Micron. 41:615-621
A low-stress automated polishing device was developed for preparing titanium and nickel alloys for scanning electron microscopy imaging. The system used pulsed electrochemical reactions within an alkaline electrolyte to generate a thin passivation la
Autor:
Gao, Feng
Electrochemical Mechanical Polishing (ECMP) has become increasingly important due to the continuous decrease of the device size in integrated circuit (IC) fabrication. Tantalum (Ta) is a promising material as a substitute for copper in ICs. This diss
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1969.1/ETD-TAMU-2010-12-8744
Publikováno v:
MRS Proceedings. 991
In this work, we propose a wafer level dynamic ECMP model based on time-evolving current density distributions across the wafer. The copper layer on the wafer surface is discretized, and the potential and current density distributions are calculated
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.