Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"edge threading dislocation"'
Autor:
Thi Thu Mai, Ssu Kuan Wu, Hua Chiang Wen, Jin Ji Dai, Jhen Gang Jiang, Wu-Ching Chou, Rong Xuan, Chih Wei Hu, Cheng Wei Liu, Sa Hoang Huynh, Sui An Yen
Publikováno v:
Coatings
Volume 11
Issue 1
Coatings, Vol 11, Iss 16, p 16 (2021)
Volume 11
Issue 1
Coatings, Vol 11, Iss 16, p 16 (2021)
The AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor structures were grown on a Si (111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition in combination with the insertion of a SiNx nano-mask into the low-temperature GaN buffer layer. Herein, the i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cf9f62ecfb584381bf8b72936c50d065
https://doi.org/10.3390/coatings11010016
https://doi.org/10.3390/coatings11010016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.