Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"dynamic ron"'
Autor:
Giovanni Giorgino, Marcello Cioni, Cristina Miccoli, Leonardo Gervasi, Marcello Francesco Salvatore Giuffrida, Martina Ruvolo, Maria Eloisa Castagna, Giacomo Cappellini, Giuseppe Luongo, Maurizio Moschetti, Aurore Constant, Cristina Tringali, Ferdinando Iucolano, Alessandro Chini
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 6, Iss , Pp 100338- (2023)
AlGaN/GaN devices for both power and RF applications have been investigated in this work. In particular, regarding power applications, 100 V p-GaN gate transistors have been analysed both in DC and in dynamic conditions with specific attention to the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d4cd7a31ce314b39a47c1070eb851cea
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 545-551 (2021)
A discrete GaN power transistor’s substrate is typically connected to its source electrode. However, on the GaN-on-Si power IC platform, the high-side transistor (HS-transistor) and low-side transistor (LS-transistor) share a common substrate that
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/117dd13ceecf4b2d87dc3d26825ab557
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 807 (2022)
A p-GaN HEMT with an AlGaN cap layer was grown on a low resistance SiC substrate. The AlGaN cap layer had a wide band gap which can effectively suppress hole injection and improve gate reliability. In addition, we selected a 0° angle and low resista
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0521a0ae7bd04f96b064c35ce11a0c8a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Lorin, William Vandendaele, Romain Gwoziecki, Yannick Baines, Jerome Biscarrat, Marie-Anne Jaud, Charlotte Gillot, Matthew Charles, Marc Plissonnier, G. Ghibaudo, F. Gaillard
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 956-964 (2018)
Cathode related current collapse effect in GaN on Si Schottky barrier diodes is investigated in this paper. Capacitance and current relaxation measurements on diodes and gated-Van Der Pauw are associated with temperature dependent dynamic RON transie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/984d9e63920f464baddde8de23e7191d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.