Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"dynamic random-access memory storage capacitor"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 4, p 256 (2019)
A full three-dimensional technology-computer-aided-design-based reliability prediction model was proposed for dynamic random-access memory (DRAM) storage capacitors. The model can be used to predict the time-dependent dielectric breakdown as well as
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e63558a8ec7471ea6cdd90ce1f4dfde
Publikováno v:
Micromachines
Volume 10
Issue 4
Micromachines, Vol 10, Iss 4, p 256 (2019)
Volume 10
Issue 4
Micromachines, Vol 10, Iss 4, p 256 (2019)
A full three-dimensional technology-computer-aided-design-based reliability prediction model was proposed for dynamic random-access memory (DRAM) storage capacitors. The model can be used to predict the time-dependent dielectric breakdown as well as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::40f15f80c17cf1323ec787696862cd14
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.