Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"dual-gate transistors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
WPI-MANA researchers have elucidated the mechanism behind organic antiambipolar transistors (OAATs), a new class of transistors with possible applications in artificial intelligence and neuromorphic devices.
MANA E-BULLETIN. 79 (2022)
MANA E-BULLETIN. 79 (2022)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f3896f87765614c6dccfa08a67b0a9a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tom C. T. Geuns, Fabio Biscarini, Francesco Zerbetto, Pablo Stoliar, Edsger C. P. Smits, J. J. Brondijk, Tobias Cramer, M. Spijkman, Dago M. de Leeuw, Paul W. M. Blom
Publikováno v:
Advanced functional materials
20 (2010): 898–905. doi:10.1002/adfm.200901830
info:cnr-pdr/source/autori:Spijkman, Mark-Jan (1),(2); Brondijk, Jakob J. (1); Geuns Tom C. T. (2); Smits, Edsger C. P. (3); Cramer, Tobias (4); Zerbetto, Francesco (4); Stoliar, Pablo (5); Biscarini, Fabio (5); Blom, Paul W. M. (1),(3); de Leeuw, Dago M.(1),(2)*/titolo:Dual-gate Organic Field-Effect Transistrors as Potentiometric Sensors an Aqueous Solution/doi:10.1002%2Fadfm.200901830/rivista:Advanced functional materials (Print)/anno:2010/pagina_da:898/pagina_a:905/intervallo_pagine:898–905/volume:20
Advanced Functional Materials, 20(6), 898-905. WILEY-V C H VERLAG GMBH
Advanced Materials, 898-905
20 (2010): 898–905. doi:10.1002/adfm.200901830
info:cnr-pdr/source/autori:Spijkman, Mark-Jan (1),(2); Brondijk, Jakob J. (1); Geuns Tom C. T. (2); Smits, Edsger C. P. (3); Cramer, Tobias (4); Zerbetto, Francesco (4); Stoliar, Pablo (5); Biscarini, Fabio (5); Blom, Paul W. M. (1),(3); de Leeuw, Dago M.(1),(2)*/titolo:Dual-gate Organic Field-Effect Transistrors as Potentiometric Sensors an Aqueous Solution/doi:10.1002%2Fadfm.200901830/rivista:Advanced functional materials (Print)/anno:2010/pagina_da:898/pagina_a:905/intervallo_pagine:898–905/volume:20
Advanced Functional Materials, 20(6), 898-905. WILEY-V C H VERLAG GMBH
Advanced Materials, 898-905
Buried electrodes and protection of the semiconductor with a thing passivation layer are used to yield dual gate organic transducers. The process technology is scaled up to 150 mm wafers. The transducers are potentiometric sensors where the detectors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9dc59a9682dfda780e849c3b0f939a9d
http://www.cnr.it/prodotto/i/53847
http://www.cnr.it/prodotto/i/53847