Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"dual interlocked storage cell (DICE)"'
Autor:
Seyedehsomayeh Hatefinasab, Akiko Ohata, Alfonso Salinas, Encarnacion Castillo, Noel Rodriguez
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 31836-31850 (2022)
As CMOS technology scaling pushes towards the reduction of the length of transistors, electronic circuits face numerous reliability issues, and in particular nodes of D-latches at nano-scale confront multiple-node upset errors due to their operation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d72230f030a4576823d62d8dcbccaf6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics; Volume 11; Issue 19; Pages: 3098
Numerous radiation-hardened-by-design (RHBD) flip-flops have been developed to increase the dependability of digital chips for space applications over the past two decades. In this paper, the radiation immunity and performance of seven well-known RHB
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ehab A. Hamed, Inhee Lee
Publikováno v:
Electronics, Vol 10, Iss 1572, p 1572 (2021)
In the previous three decades, many Radiation-Hardened-by-Design (RHBD) Flip-Flops (FFs) have been designed and improved to be immune to Single Event Upsets (SEUs). Their specifications are enhanced regarding soft error tolerance, area overhead, powe