Zobrazeno 1 - 10
of 223
pro vyhledávání: '"drive current"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 66777-66792 (2023)
This article deals with frequency PWM (pulse-width modulation) control methodology and experiments related to a deep characterization of InGaN (Indium gallium nitride) EELs (Edge Emitting Lasers) and the influence of drive current shape on power and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9fbe4c418d5848a4a3d3f298aade36d6
Publikováno v:
Journal of Optoelectronical Nanostructures, Vol 5, Iss 1, Pp 65-82 (2020)
Abstract: We present the optimization of the manufacturing process of the 5nm bulk-FinFET technology by using the 3D process and device simulations. In this paper, bysimulating the manufacturing processes, we focus on optimizing the manufacturingproc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0f08cc6591d7475a98603dc40b250344
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 54722-54729 (2020)
In order to determine the currents required in different attitudes and torque target conditions, this paper proposes a calculation method for drive currents of permanent magnet spherical motors based on three-dimensional magnetic field, torque analyt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b2d2713c0064bb7a22f1db2fa86de0b
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 18, p 6573 (2022)
A non-cascade structure with a simple parameter adjustment method and satisfying dynamic performance is investigated so as to address the problem of the complicated structure of a typical cascade control system of permanent magnet synchronous motor (
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4b8aee2f6e744b74872a4231254ae3c7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tsung-Kuei Kang, Yu-Yu Lin, Han-Wen Liu, Che-Li Lin, Po-Jui Chang, Ming-Cheng Kao, Hone-Zern Chen
Publikováno v:
Membranes, Vol 11, Iss 10, p 758 (2021)
By a sol–gel method, a BiFeO3 (BFO) capacitor is fabricated and connected with the control thin film transistor (TFT). Compared with a control thin-film transistor, the proposed BFO TFT achieves 56% drive current enhancement and 7–28% subthreshol
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/caf8eddc23f443e8bde193836dee011e
Publikováno v:
Crystals, Vol 11, Iss 3, p 262 (2021)
Three dimensional (3-D) FinFET devices with an ultra-high Si-fin aspect ratio have been developed after integrating a 14Å nitrided gate oxide upon the silicon on insulator (SOI) wafers through an advanced CMOS logic platform. Under the lower gate vo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bd4f281cefd4065a59b67135d146ffa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.