Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"drain-substrate diode"'
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 20, Iss 3, Pp 157-163 (1998)
The electrical properties of the drain-substrate diode of MOSFETs are shown to be related to the device geometrical structure. The two dimensional analysis takes into account the edge effects of the length and width of the gate. Intrinsic parameters
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/61727e0585b84972a5107f2ce7a75973
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 20, Iss 3, Pp 157-163 (1998)
The electrical properties of the drain-substrate diode of MOSFETs are shown to be related to the device geometrical structure. The two dimensional analysis takes into account the edge effects of the length and width of the gate. Intrinsic parameters
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9715b5e5db8ee023b105fa4875c22a9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.