Zobrazeno 1 - 10
of 5 127
pro vyhledávání: '"double-gate mosfet"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aakansha1 (AUTHOR) aakanshabarala41@gmail.com, Kumar, Manoj1 (AUTHOR) manoj10276@gmail.com
Publikováno v:
IETE Journal of Research. Nov2023, Vol. 69 Issue 11, p8218-8225. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SN Applied Sciences, Vol 5, Iss 4, Pp 1-12 (2023)
Abstract This research work designs a prototype of an active-loaded differential amplifier using Double-Gate (DG) MOSFETs. The following text outlines the prototype design with testing in developing the conceptual understanding of the differential am
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b51c395c8fb64b7f90843f4cc3cf20e7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nizam, N. H. N. M.1, A. H., Afifah Maheran1 afifah@utem.edu.my, Salehuddin, F.1, Kaharudin, K. E.2, Z. A., Noor Faizah3
Publikováno v:
International Journal of Nanoelectronics & Materials. Jan2023, Vol. 16 Issue 1, p43-51. 9p.