Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"double-gate FET"'
Autor:
Michael A. Rodder, Ananth Dodabalapur
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 441-446 (2021)
A phenomenological model, accounting for interface states at metal-semiconductor contacts, is proposed to explain particular gate-bias-dependent kinking in I-V characteristics sometimes observed in MoS2 FETs. The effect is studied in double-gate FETs
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c6ea226f3b3b4f449ae134ddf2d692c9
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 85-94 (2018)
In this paper, a comprehensive charge-based predictive model of interface and oxide trapped charges in undoped symmetric long-channel double-gate MOSFETs is developed. The model involves essentially no fitting parameters, but first-principle calculat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f3c6f475babb4e04afc9705926295e29
Autor:
Navid Paydavosi, Sriramkumar Venugopalan, Yogesh Singh Chauhan, Juan Pablo Duarte, Srivatsava Jandhyala, Ali M. Niknejad, Chenming Calvin Hu
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 1, Pp 201-215 (2013)
Two turn-key surface potential-based compact models are developed to simulate multigate transistors for integrated circuit (IC) designs. The BSIM-CMG (common-multigate) model is developed to simulate double-, triple-, and all-around-gate FinFETs and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3781c2c387c8420b8041b079e0b66c5c
Publikováno v:
Sensing and Bio-Sensing Research, Vol 11, Iss, Pp 45-51 (2016)
Two-dimensional layered material is touted as a replacement of current Si technology because of its ultra-thin body and high mobility. Prominent transition metal dichalcogenides (TMD), Molybdenum disulphide (MoS2), as a channel material for Field Eff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0fb7cd40e9bfa819c244ec62ce6693d3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 60:1342-1348
A 2-D semianalytical solution for the electrostatic potential valid for junctionless symmetric double-gate field-effect transistors in subthreshold regime is proposed, which is based on the parabolic approximation for the potential and removes previo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b9a24c66b268eb23b909a63f853ceaec
https://doi.org/10.1109/ted.2013.2247765
https://doi.org/10.1109/ted.2013.2247765
Autor:
Ayadi, Yosri
La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de communication doit prendre en compte les problématiques d’hété
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11143/10122
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.