Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"dos Santos, S.D."'
Autor:
dos Santos, S.D., Cretu, B., Strobel, V., Routoure, J.-M., Carin, R., Martino, J.A., Aoulaiche, M., Jurczak, M., Simoen, E., Claeys, C.
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2014 97:14-22
Autor:
Sasaki, K.R.A., Nicoletti, T., Almeida, L.M., dos Santos, S.D., Nissimoff, A., Aoulaiche, M., Simoen, E., Claeys, C., Martino, J.A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics July 2014 97:30-37
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dos Santos, S.D., Martino, J.A., Strobel, V., Cretu, Bogdan, Routoure, Jean-Marc, Carin, Régis, Simoen, E., Aoulaiche, M., Jurczak, M., Claeys, C.
Publikováno v:
China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC 2013)
In Proceedings of CSTIC 2013 Conference
China Semiconductor Technology International Conference
China Semiconductor Technology International Conference, Mar 2013, shangai, China. pp.87-92
In Proceedings of CSTIC 2013 Conference
China Semiconductor Technology International Conference
China Semiconductor Technology International Conference, Mar 2013, shangai, China. pp.87-92
International audience; The impact of different gate dielectrics on the low-frequency (LF) noise behavior is investigated in UTBOX SOI nMOSFETs. Hafnium silicate (HfSiO) devices are compared to silicon dioxide (SiO2) ones in terms of low-frequency no
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::eab2fc1e3448202a22a943fc83929b50
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994161
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994161
Autor:
Strobel, V., Cretu, Bogdan, Dos Santos, S.D., Simoen, E., Routoure, Jean-Marc, Carin, Régis, Aoulaiche, M., Jurczak, M., Martino, J.A., Claeys, C.
Publikováno v:
Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits
In Proceedings of EUROSOI'2013 Conference
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, Jan 2013, paris, France. 2 p. (CDROM)
In Proceedings of EUROSOI'2013 Conference
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, Jan 2013, paris, France. 2 p. (CDROM)
International audience; Low frequency noise measurements were performed in n-channel UTBOX transistors fabricated on silicon on insulator (SOI) substrates. The noise spectra contain 1/f and Lorentzian components; it was found that the carrier number
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::895818c4b4cd437d9cc8d9d1f2204184
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994155
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994155
Autor:
Dos Santos, S.D., Simoen, E., Strobel, V., Cretu, Bogdan, Routoure, Jean-Marc, Carin, Régis, Aoulaiche, M., Veloso, A., Jurczak, M., Martino, J.A., Claeys, C.
Publikováno v:
Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits
In Proceedings of EUROSOI'2013 Conference
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, Jan 2013, Paris, France. 2 p. (CDROM)
In Proceedings of EUROSOI'2013 Conference
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits
9th Workshop of the Thematic Network on SOI Technology, Devices and Circuits, Jan 2013, Paris, France. 2 p. (CDROM)
International audience; The impact of different dielectrics has been compared in UTBOX SOI nMOSFETs, focusing on the lowfrequency noise behaviour. High-k devices have shown higher current noise spectral density due to the higher number of traps that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8ee5d7481f2b4417ff0a43ad85fb295b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994159/file/hal-00994159.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994159/file/hal-00994159.pdf
Autor:
Guilherme, E., Dos Santos, S.D.
Publikováno v:
In European Psychiatry April 2017 41 Supplement:S152-S153