Zobrazeno 1 - 10
of 1 273
pro vyhledávání: '"dopant activation"'
Autor:
Abhijeet Joshi, Bulent M. Basol
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 757-760 (2022)
Differential Hall Effect Metrology (DHEM) technique was used to characterize highly n-type doped Si epi layers deposited on p-type Si wafers. Total dopant concentration, doping depth profile and post deposition annealing condition were changed for va
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62f5f1e84fc0402783f9c3be55c42704
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tao Yang, Zhiliang Xia, Dongyu Fan, Dongxue Zhao, Wei Xie, Yuancheng Yang, Lei Liu, Wenxi Zhou, Zongliang Huo
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 1, p 230 (2023)
The bit density is generally increased by stacking more layers in 3D NAND Flash. Lowering dopant activation of select transistors results from complex integrated processes. To improve channel dopant activation, the test structure of vertical channel
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/752028d4704d425d8f1f6c9e9ec678ec
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Richard Daubriac, Emmanuel Scheid, Hiba Rizk, Richard Monflier, Sylvain Joblot, Rémi Beneyton, Pablo Acosta Alba, Sébastien Kerdilès, Filadelfo Cristiano
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 9, Iss 1, Pp 1926-1939 (2018)
In this paper, we present an enhanced differential Hall effect measurement method (DHE) for ultrathin Si and SiGe layers for the investigation of dopant activation in the surface region with sub-nanometre resolution. In the case of SiGe, which consti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beb5310ee07740d2b625e34f42a24125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Donghyeok Choi, Joonghan Shin
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 22, p 10748 (2021)
Laser thermal annealing (LTA) has played an important role in the fabrication of scaled semiconductor devices by reducing the heat budget of the dopant activation process. During the laser annealing of entire wafer areas, the beam scanning pattern an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b5d3dcaab2a441385b4956202fd6e75