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pro vyhledávání: '"dispositivos semiconductores"'
Autor:
Santamargarita Mayor, Daniel
La reducción de peso y volumen de los Transformadores de Media Frecuencia (MFTs) con respecto a los Transformadores de Baja Frecuencia (LFTs) permite aprovechar la gran capilaridad de la red de distribución ferroviaria de Media Tensión DC, MVDC, t
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______966::01506ff328411e9be1bf3159f7726547
https://hdl.handle.net/10017/56822
https://hdl.handle.net/10017/56822
Autor:
Espiñeira Deus, Gabriel
Desde la revolución del transistor la industria de la electrónica ha sido capaz de aumentar el rendimiento de los dispositivos a costa de reducir sus dimensiones hasta los nanómetros. Sin embargo, este escalado tan agresivo ha originado diversas d
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1601::b40b8a26962b582587f255880d5a7767
https://hdl.handle.net/10347/30030
https://hdl.handle.net/10347/30030
Evaluation of admittance domain behavioural model complexity requirements for Power Amplifier design
In the framework of Power Amplifier (PA) design for communications, frequency domain non-linear behavioural models have shown their potential as efficient complementary modelling tools when Field Effect Transistor compact models are not available or
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0e5251f74f9c76c544ccefb2771f7a14
Wiley Online Library
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Publikováno v:
Addi. Archivo Digital para la Docencia y la Investigación
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266 p. Los convertidores multifase han adquirido una gran relevancia debido a sus ventajas sobre los convertidores trifásicos convencionales. Debido a estas ventajas, destacando la tolerancia a fallos, los sistemas multifase se emplean cada vez más
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5d2fbac4417022da0a23b3f3fb693096
http://hdl.handle.net/10810/57321
http://hdl.handle.net/10810/57321
Autor:
Aguiar Armada, Diego, Morales Fernandez, Ainhoa, Fernández Barciela, Mónica, Martín Rodríguez, Fernando, Isasi De Vicente, Fernando Guillermo
Gallium Nitride (GaN) is nowadays the leading semiconductor technology for the design of transmitters with high RF power at microwave and millimeter wave frequency bands. This paper describes the design, assembly and validation of Class J and Doherty
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3690::7a4592370b469b72c2befbd7a3400384
https://hdl.handle.net/11093/3900
https://hdl.handle.net/11093/3900
Autor:
Serrano Delgado, Javier
El conformado de la impedancia o admitancia mediante control para convertidores electrónicos de potencia permite alcanzar entre otros objetivos: mejora de la robustez de los controles diseñados, amortiguación de la dinámica de la tensión en caso
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______966::bfb6b5c66e95495b57862c5229dfacac
https://hdl.handle.net/10017/54295
https://hdl.handle.net/10017/54295
El objetivo y principal aportación de este proyecto de investigación, fue el desarrollo dealgunos procesos de síntesis, deposición y caracterización de películas delgadas de Al2O3,ZnO y NiOx, y su aplicación en la fabricación de dispositivos
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1413::b42332bf5a4d93dd875fbce825ad641b
http://zaguan.unizar.es/record/120252
http://zaguan.unizar.es/record/120252
Autor:
Sajedin, Maryam, Elfergani, Issa, Rodriguez, Jonathan, Abd-Alhameed, Raed, Fernández Barciela, Mónica
Publikováno v:
2021 IEEE 26th International Workshop on Computer Aided Modeling and Design of Communication Links and Networks (CAMAD).
This work presents a complete design process of a high-gain MMIC Class-J power amplifier (PA) based on the 0.25−μm A1GaAs-InGaAs pHEMT technology at X-Band frequencies. The proposed technique can reduce the chip area and improve the energy efficie
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::002cfddbe8349778dedd523c7c53d23a
https://doi.org/10.1109/camad52502.2021.9617791
https://doi.org/10.1109/camad52502.2021.9617791
Autor:
Aretxabaleta Astoreka, Iker
Publikováno v:
Addi: Archivo Digital para la Docencia y la Investigación
Universidad del País Vasco
Addi. Archivo Digital para la Docencia y la Investigación
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Universidad del País Vasco
Addi. Archivo Digital para la Docencia y la Investigación
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225 p. Esta tesis trata sobre los sistemas de carga del vehículo eléctrico, en concreto de la etapa de rectificación desde la red trifásica mediante el uso de un rectificador Vienna. Este rectificador es una topología conocida, pero no se utiliz
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::929684719a67f340fa8d64370cf2261b
http://hdl.handle.net/10810/51387
http://hdl.handle.net/10810/51387
Autor:
Sanaz Mehdipour
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad Pontificia Comillas ICAI-ICADE
Universidad Pontificia Comillas ICAI-ICADE
[EN]In three-dimensional topological Insulators, the topological protected helical surface conducting states exist along with the bulk insulating states. In a class of topological insulators, namely topological crystalline insulators, the protection
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::64816e687e777b5e47ffaae56c9954ac
http://hdl.handle.net/10366/148409
http://hdl.handle.net/10366/148409