Zobrazeno 1 - 10
of 1 527
pro vyhledávání: '"displacement damage"'
Autor:
Young Jo Kim, Youngboo Moon, Jeong Hyun Moon, Hyoung Woo Kim, Wook Bahng, Hongsik Park, Young Jun Yoon, Jae Hwa Seo
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 9, Iss 3, Pp 100765- (2024)
In this study, we fabricated vertical Schottky barrier diodes (SBDs) based on wide bandgap semiconductor beta-phase gallium oxide (β-Ga2O3) and silicon carbide (SiC), respectively, and conducted proton irradiation experiments to analyze the radiatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe363854dced4a62a854bf4586c557be
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ting Wang, Yue Yuan, Xiu-Li Zhu, Wangguo Guo, Jipeng Zhu, Shiwei Wang, Long Cheng, Guang-Hong Lu
Publikováno v:
Nuclear Materials and Energy, Vol 41, Iss , Pp 101775- (2024)
Surface damage and fuel retention are one of the major threats to the performance of plasma-facing materials (PFMs) in ITER and future fusion reactors. This work aims to investigate the influence of suppressed blistering by heavy ion pre-damage on de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b318524c0aaa4cfb838700694f576454
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2274-2280 (2023)
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have excellent physical and chemical stability, which gives it great potential for use in consumer, industrial and space applications. However, the defects of epitaxial growth AlGaN/GaN HEMTs are d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/490e42bf59714803b3c7962688f07cd8
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2348-2356 (2023)
GaInP/GaAs/Ge triple junction solar cells have the advantages of high reliability, long life, and high photoelectric conversion efficiency, making them the core components of current spacecraft space power systems. However, the radiation particles in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d24cf6398c2483bbbfbce352db5bccd
Publikováno v:
Nuclear Materials and Energy, Vol 38, Iss , Pp 101595- (2024)
For future fusion power plants, the reduced activation ferritic/martensitic (RAFM) steel EUROFER is considered to be the primary choice as a structural material for plasma facing components (PFC) of the first wall, such as the blanket modules. Its ex
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92b2a78a716d475f88c645e625baf0d8
Autor:
S. Markelj, J. Zavašnik, A. Šestan, T. Schwarz-Selinger, M. Kelemen, E. Punzón-Quijorna, G. Alberti, M. Passoni, D. Dellasega
Publikováno v:
Nuclear Materials and Energy, Vol 38, Iss , Pp 101589- (2024)
The influence of grain boundaries on deuterium (D) retention and transport was investigated in nanocrystalline tungsten (W) by exposing the samples to sub eV D atoms. Thin tungsten films with nanometer-sized grains were produced by pulsed laser depos
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f63ba9fa50f2445c98a14c1e6d2e820e
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 9, Pp 3334-3341 (2023)
We studied the irradiation effects of fast neutron generated by a 30 MeV cyclotron on the electrical and switching characteristics of NPT-IGBT devices. Fast neutron fluence ranges from 2.7 × 109 to 1.82 × 1013 n/cm2. Electrical characteristics of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67c9b033ad464bb3b8f0457557958dc5