Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"disordered semiconductor"'
Publikováno v:
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 12, Iss 3, Pp 202-210 (2021)
The study of the electrophysical characteristics of crystalline semiconductors with structural defects is of practical interest in the development of radiation-resistant varactors. The capacitance-voltage characteristics of a disordered semiconductor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1470283cd7654a80aaecdf04ad641e6d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Devices and Methods of Measurements
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 12, Iss 3, Pp 202-210 (2021)
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 12, Iss 3, Pp 202-210 (2021)
The study of the electrophysical characteristics of crystalline semiconductors with structural defects is of practical interest in the development of radiation-resistant varactors. The capacitance-voltage characteristics of a disordered semiconductor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::58832f0fe8a33b5b94cc73a7ad120ce8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Lithuanian journal of physics, Vilnius, Lietuvos mokslų akademijos leidykla, 2015, Vol. 55, No. 4, p. 330-334
The ionizing radiation induced disordered defect clusters and their relaxation in silicon were simulated by the density functional method. It was found that a non-relaxed disordered cluster gives rise to a great number of localized states having thei
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4036::9036dbb32eefeda0370e52157981c37a
https://repository.vu.lt/VU:ELABAPDB15542529&prefLang=en_US
https://repository.vu.lt/VU:ELABAPDB15542529&prefLang=en_US
Autor:
Bosisio, Riccardo
Cette thèse porte sur la conversion thermoélectrique de nanofils semi-conducteurs désordonnés en configuration de transistor à effet de champ.On considère d’abord le régime de transport élastique à basse température. En utilisant un modè
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014PA066212/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.