Zobrazeno 1 - 10
of 1 599
pro vyhledávání: '"disordered semiconductor"'
We analyze and present applications of a recently proposed empirical tight-binding scheme for investigating the effects of alloy disorder on various electronic and optical properties of semiconductor alloys, such as the band gap variation, the locali
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.16951
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Banon, Jean-Philippe, Pelletier, Pierre, Weisbuch, Claude, Mayboroda, Svitlana, Filoche, Marcel
The presence of disorder in semiconductors can dramatically change their physical properties. Yet, models faithfully accounting for it are still scarce and computationally inefficient. We present a mathematical and computational model able to simulat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.06485
Publikováno v:
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 12, Iss 3, Pp 202-210 (2021)
The study of the electrophysical characteristics of crystalline semiconductors with structural defects is of practical interest in the development of radiation-resistant varactors. The capacitance-voltage characteristics of a disordered semiconductor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1470283cd7654a80aaecdf04ad641e6d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We study the effects of disorder on the interlayer transport properties of disordered semiconductor bilayers outside of the quantum Hall regime by performing self-consistent quantum transport calculations. We find that the addition of material disord
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.0053
We continue to develop a new approach to description of charge kinetics in disordered semiconductors. It is based on fractional diffusion equations. This article is devoted to transient processes in structures under dispersive transport conditions. W
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1310.0415