Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"diode parameters."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Contreras, M. Urdaneta
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 30, Iss 1, Pp 150-156 (2021)
The aim of this work was the characterization of the diode parameters from the single diode and voltage doubler rectifiers employed in multiband rectennas. For that, an analysis of variance was made through the 2: factorial design for determining the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5dd119cbc4874f59af0563cae917a7df
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 22, Iss 3, Pp 147-156 (2000)
A method for device characterization is experimented to qualify the relaxable damage in hot-carrier stressing of n-MOS transistors. The degradation of physical parameters of the body-drain junction of power HEXFETs is presented for applied stress con
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ec74ef6bf0f943afb4f439dd769c022f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Bendada, K. Raïs
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 21, Iss 3, Pp 199-208 (1998)
Modeling techniques of P-N junctions have been applied for studying the physical parameters in metal-oxide semiconductor field-effect transistor structures. A parameter extraction method provides a precise description of the changes in conduction pro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/747411a272354902b03cae9b0bee6c7e
Optimization of parameters in solar cell modeling allows monitoring the status of the model under different operating conditions of the system and finding possible errors. In order to accurately predict optimal parameters in single and dual diode sol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10391::91e7bba49cd6d80da1ad53da7d5327ab
https://hdl.handle.net/20.500.14002/458
https://hdl.handle.net/20.500.14002/458
