Zobrazeno 1 - 10
of 275
pro vyhledávání: '"dielectric modulation"'
Autor:
Billel Smaani, Fares Nafa, Mohamed Salah Benlatrech, Ismahan Mahdi, Hamza Akroum, Mohamed walid Azizi, Khaled Harrar, Sayan Kanungo
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 15, Iss 1, Pp 977-994 (2024)
Over the last few decades, field-effect transistor (FET)-based biosensors have demonstrated great potential across various industries, including medical, food, agriculture, environmental, and military sectors. These biosensors leverage the electrical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b62122bd8a004f27a82e04496f975858
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B March 2025 313
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 172851-172866 (2024)
In this study, we propose a novel dielectric modulated dual-dielectric bottom-gate top-contact organic thin film transistor (DMDDBG-OTFT) as a label-free biosensor for detecting neutral and charged bio-analytes. The device utilizes PVP and Al2O3 as d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/edb9a6bbd20945dfbbab2421125e85a5
Autor:
Dipshika Das, Rudra Sankar Dhar, Pradip Kumar Ghosh, Arindam Biswas, Saurav Mallik, Naim Ahmad, Wade Ghribi
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 139850-139864 (2024)
In this article, we present dielectric modulation-based label free detection of biomolecules at a cavity under gate metal located near the tunneling junction of charge plasma based dual metal-double gate tunnel FET (CP-DM DGTFET). The biomolecules th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/43c682dbacd14466b24d712b4e435c17
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 4, Pp 71-76 (2023)
This paper presents a new design of charge plasma junctionless tunnel field effect transistor (CP JLTFET) with improved ON current, surface potentials. For the ease of fabrication, source and drain regions are induced in intrinsic silicon material us
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/011919987d604cc9b20416f94d762040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 3, p 685 (2023)
A novel Schottky barrier MOSFET with quad gate and with source engineering has been proposed in this work. A high-κ dielectric is used at the source side of the channel, while SiO2 is used at the drain side of the channel. To improve the carrier mob
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fbe80faac4b04e9aa69bed00737d5730