Zobrazeno 1 - 10
of 177
pro vyhledávání: '"diamond CVD growth"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tanguy Van Regemorter, Karin Larsson
Publikováno v:
Chemical Vapor Deposition. 14:224-231
Diamond is an important material in many industrial applications (e.g., machining of hard materials, bio-electronics, optics, electronics, etc.) because of its exceptional properties such as hardness, tolerance to aggressive environments, compatibili
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::888fcacebf048bc5cb06e2ef74070b17
https://doi.org/10.1002/cvde.200706661
https://doi.org/10.1002/cvde.200706661
Autor:
Karin Larsson, T. Van Regemorter
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 17:1076-1079
For both (111) and (100) diamond surface orientations, one C atom within the first or second surface carbon layer has substitutionally been replaced by an N atom. The effects of this impurity on CH3 adsorption and H abstraction from a newly adsorbed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ced36de49bebfe73528fab5032a6790c
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2008.01.012
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2008.01.012
Autor:
Michael N. R. Ashfold, Paul W May, James R. Petherbridge, Keith N. Rosser, Edward J. Crichton
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics. 4:5199-5206
Microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD) has been used to deposit diamond films with H2S additions of 0–5000 ppm to a 51% CH4/49% CO2 plasma, with growth carried out for two different substrate temperatures (620 and 900 °C). Film morpho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d059325cc040a860235d86822f381c1
https://doi.org/10.1039/b206034p
https://doi.org/10.1039/b206034p